Einem Forscherteam des Inac [1] und des Leti [2] ist ein entscheidender Schritt bei der Entwicklung einer Elektronen-Pumpe in Standard-CMOS-Technologie [3] gelungen. Das Gerät besteht aus hintereinander angeordneten Einzel-Elektronen-Transistoren, funktioniert bei Temperaturen von 1K und liefert Strom, der sich proportional zur Frequenz bis 400 MHz verhält.

Forschungsministerin Valérie Pécresse bezeichnete das Rahmenabkommen als beispielhaft für die Ausgestaltung der Beziehungen zwischen den staatlichen Forschungseinrichtungen und den französischen Universitäten.