Neue Infrastrukturen für die Reparatur von Speichern

Dank der Forschungsarbeiten des CEA LIST (Labor für Informatik und Systemtechnologien, Grenoble) zur Verbesserung der Kapazität von Speichern konnte eine Infrastruktur entwickelt werden, die die Reparaturkapazitäten von Redundanzspalten optimiert.

Speicherschaltungen gehören zu den größten wirtschaftlichen Herausforderungen und sind die treibende Kraft der Halbleiterindustrie. In diesem Zusammenhang profitieren sie in der Regel sowohl von technologischen Weiterentwicklungen (More Moore) als auch von neuen Anwendungen (More than Moore).

Das CEA LIST hat eine neue, auf einem Fehlererkennungscode (error-correcting code – ECC) basierende Infrastruktur entwickelt, mit der die asymmetrische Korrektur-Fähigkeit der Redundanz Spalten verbessert wird. Für diese Innovation wurden zwei Patente eingereicht. Sie wurde im Rahmen des Projekts „Emyr“ von Crocus Technology (führender Entwickler von MRAM-Technologie – magnetische Speichertechnologie) getestet, mit dem Ziel, die Leistungsfähigkeit der MRAM zu verbessern. Diese neuen Entwicklungen kommen auch den neuen Speicher-Technologien (PCRAM, CBRAM, OxRAM, etc.) zugute.

Kontakt und weitere Informationen unter: www.cea.fr

Quelle: „Infrastructure de réparation des circuits mémoire“, Pressemitteilung des Fil Science & Techno du CEA – 01/07/2011 – http://le-fil-science.cea.fr/index.php/infrastructure-de-reparation-des-circuits-memoires

Redakteur: Charles Collet, charles.collet@diplomatie.gouv.fr