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Organisiertes Wachstum von ZnO-Nanodrähten

Das Labor für Elektronik der Behörde für Atomenergie und alternative Energien (CEA-Leti) konnte kürzlich nachweisen, dass das Wachstum von ZnO-Nanodrähten mittels eines selektiven MOCVD [1] -Wachstums über eine Siliziumnitrid-Maske bestimmbar ist.


Die Strukturierung der Maske wird durch Elektronenstrahllithographie erzielt. Die Effizienz der Keimbildung der Drähte liegt bei fast 100% und ermöglicht eine genaue Kontrolle der Größe und Position der Nanodrähte. Diese Technologie eröffnet wichtige Perspektiven hinsichtlich der Herstellungskosten und der Leistung künftiger LED-Generationen.

[1] MOCVD – metallorganische Gasphasenabscheidung (engl. Metal Organic Chemical Vapour Deposition)

Weitere Informationen:
Internetseite des CEA Léti: http://www.leti.fr/en

Quelle: ” Croissance organisée de nano fils de ZnO “, Pressemitteilung des CEA-Leti – 10.06.2011 – http://le-fil-science.cea.fr/index.php/croissance-organisee-de-nano-fils-de-zno

Redakteur: Charles Collet, charles.collet@diplomatie.gouv.fr