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Feldeffekttransistoren

Feldeffekttransistoren der dritten Generation

Feldeffekttransistoren sind eine Gruppe von unipolaren Transistoren (Schaltelemente), welche als Grundbausteine der Mikroelektronik gelten. Sie bestehen aus drei Anschlüssen sowie einem Kanal. Der Kanal verbindet zwei dieser Anschlüsse (Drain und Source), während der Stromfluss zwischen diesen beiden über den dritten Anschluss, den sogenannten Gate, gesteuert wird.

Einem französischen Team vom Forschungslabor für Analyse und Systemarchitektur (LAAS) sowie vom Institut für Elektronik, Mikroelektronik und Nanotechnologien (IEMN) ist es gelungen, einen dreidimensionalen Transistor im Nanometer-Maßstab mit hervorragenden Eigenschaften zu bauen.