Beiträge mit dem Stichwort: ‘2D-Kartographie der Deformation eines Siliziumfadens̵

Dank der Röntgenstrahlenbeugung ist es Forschern des Instituts für Nanowissenschaften und Kryotechnik (Inac) der Behörde für Atomenergie und alternative Energien (CEA) gelungen, die individuellen Verformungen von vorgespannten Siliziumfäden im Nanometerbereich zu messen. Die Forscher haben bewiesen, dass sich die Leistung von Transistoren mit einer Silizium-auf-Isolator-Basis durch Axialspannung verbessern lässt, selbst wenn die Silizium/Isolator-Schnittstelle beschädigt ist. Diese Entdeckung ebnet den Forschern den Weg zur Entwicklung neuer nanoelektronischer Bauteile.