3D-Bildgebung von „black silicon“

„Black silicon“ ist ein Halbleitermaterial, das für optische Sensoren und in der Photovoltaik verwendet wird. Zur Optimierung der Produktion von „black silicon“ haben das MIT (USA) und die CEA Grenoble (französische Behörde für Atomenergie und alternative Energien) eine Kooperationsvereinbarung unterzeichnet, um gemeinsam von der Plattform für Nanocharakterisierung (PFNC) des CEA-Zentrums in Grenoble profitieren zu können.

Das MIT konnte dadurch auf die Kenntnisse und Erfahrungen des CEA-Teams im Bereich Elektronen-Tomographie zurückgreifen, um auf dieser Grundlage 3D-Bilder der internen Struktur dieses Silizium-Materials zu liefern. Die Eigenschaften des „black silicon“ sind eine geringere Reflektivität (Reflexionsgrad) und eine höhere Absorptionsfähigkeit von einfallendem Licht als das klassische Silizium.

Quelle: Pressemitteilung der CEA – 11/08/2011 – http://le-fil-science.cea.fr/index.php/imagerie-3d-de-black-silicon

Redakteur: Charles Collet, charles.collet@diplomatie.gouv.fr – http://www.science-allemagne.fr