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Magnetische Speicher: eine neue Art des Schreibens

In Zusammenarbeit mit dem katalanischen Institut für Nanotechnologie und der autonomen Universität Barcelona haben Forscher des französischen Unternehmens Spintec eine neue Technik für das Schreiben von Informationen mit der MRAM-Technik (Magnetic Random Access Memory) entwickelt. Diese neue Technik nutzt die Möglichkeit, die Magnetisierung durch einen Stromfluss in Höhe der magnetischen Schicht umzukehren.


In Zusammenarbeit mit dem katalanischen Institut für Nanotechnologie und der autonomen Universität Barcelona haben Forscher des französischen Unternehmens Spintec eine neue Technik für das Schreiben von Informationen mit der MRAM-Technik (Magnetic Random Access Memory) entwickelt. Diese neue Technik nutzt die Möglichkeit, die Magnetisierung durch einen Stromfluss in Höhe der magnetischen Schicht umzukehren.

Somit ergeben sich verschiedene Möglichkeiten, da die Pfade zum Schreiben und Lesen voneinander getrennt sind. Der Strom fließt nicht mehr durch die dünnen für das Schreiben notwendigen Schichten, was die Gefahr ihrer Beschädigung verringert. Außerdem kann der spezifische Widerstand der Schichten erhöht werden, um das Lesen zu erleichtern. Die Magnetschicht kann auch “härter” sein und dadurch die Informationen besser speichern. Somit ist es möglich, eine Vorrichtung mit drei Endgeräten (wie eine Art Transistor) zu entwickeln, was für die Spin-Elektronik einen großen Fortschritt bedeuten würde. Diese Technik eröffnet daher vielversprechende Perspektiven in Bezug auf die Speicherleistung und neue Funktionalitäten, wie beispielsweise die Kopplung magnetischer Speicher und Logik. Diese Arbeit wurde in der Fachzeitschrift Nature veröffentlicht.

Quelle:
– Artikel aus le fil Science & Techno der CEA – 09.12.2011 – http://le-fil-science.cea.fr/index.php/memoires-magnetiques-un-nouveau-mode-decriture

Redakteur: Charles Collet, charles.collet@diplomatie.gouv.fr